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导电膜形成方法包括:在远离耐压腔室内所设置的高密度等离子体产生源的位置配置处理对象物;对耐压腔室内进行减压;对等离子体产生源供给反应气体而形成等离子体状态;使处理对象物曝露于等离子体产生源中经高反应性化的反应气体中;不使曝露于反应气体的处理对象物曝露于大气中而对处理对象物的表面的一部分进行种晶层的成膜;通过无电解电镀、电解电镀或干式成膜工艺在成膜于处理对象物的种晶层的表面的一部分形成金属膜;以及对形成有种晶层及金属膜的处理对象物进行热处理。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112292473 A
(43)申请公布日 2021.01.29
(21)申请号 201980035587.0 (72)发明人 猿渡哲也 吉冈尚规 大岸厚文
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