- 1、本文档共10页,其中可免费阅读9页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制器件及系统,将金属微结构形成的金属阵列与二氧化钒薄膜进行耦合,通过设计不同的超材料结构单元可获得不同频率记忆效应的THz调制器件;本发明在室温下将离子凝胶中氢离子注入二氧化钒薄膜,同时通过栅极直流电压源施加调控电压控制二氧化钒薄膜中氢离子的掺杂程度,明显降低调控所需的功耗,实现了对二氧化钒薄膜电导态的实时调控,能够建立起调控电压正负、大小、时间和二氧化钒薄膜电导以及THz透过率之间的数值对应关系,进而实现对记忆型THz调制器件性能的实时数字化可控;
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112285952 A
(43)申请公布日 2021.01.29
(21)申请号 202010980978.4
(22)申请日 2020.09.17
(71)申请人 首都师范大学
地址
文档评论(0)