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本发明属于信息技术和真空微电子器件技术领域，具体公开了平面型纳米沟道真空场发射三极管装置，包括导电薄膜和器件电极，所述导电薄膜搭载在器件电极上，其特征在于，所述导电薄膜的上方或下方增设一层或多层热传输层，所述热传输层的制备材料为绝缘性能和热导率良好的材料。本发明解决了现有技术中真空场发射三极管的导电薄膜焦耳热的聚集效应，可加快纳米沟道真空场发射三极管内部热量的传导，避免因焦耳热聚集引起的纳米沟道尺度和结构破坏，提高VFET器件稳定性和寿命。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259428 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011145728.5
(22)申请日 2020.10.23
(71)申请人 陕西科技大学
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