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三维存储器件中具有突出部分的沟道结构以及用于形成其的方法.pdfVIP

三维存储器件中具有突出部分的沟道结构以及用于形成其的方法.pdf

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    公开了三维(3D)存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一示例中，3D存储器件包括衬底、布置在衬底上并且包括多个交错的导电层和电介质层的存储器堆叠体、以及多个沟道结构，每个沟道结构垂直地延伸穿过存储器堆叠体以及具有与导电层邻接的多个突出部分和与电介质层邻接的多个正常部分。多个沟道结构中的每个沟道结构包括沿着沟道结构的侧壁的阻挡层和在阻挡层之上的存储层。存储层包括在沟道结构的突出部分中的多个电荷捕获结构、以及在沟道结构的正常部分中并且连接多个电荷捕获结构的多个保护结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112262473 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202080002385.9 H01L 27/11568 (2017.01)

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