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具有JFET区布图设计的半导体器件.pdfVIP

具有JFET区布图设计的半导体器件.pdf

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    本发明公开具有JFET区布图设计的半导体器件。半导体器件包括半导体层、阱区、源区、栅区、漏电极层、和JFET区。半导体层具有第一面和第二面，半导体层包括基底和漂移区。阱区设置在漂移区中并且从第一面朝向基底的方向延伸。源区设置在阱区中，栅区设置在第一面上并且与源区和阱区接触。漏电极层设置在第二面上。JFET区设置在漂移区中并且从第一面朝向基底的方向延伸，JFET区与栅区接触，JFET区包括多个JFET子区，在顶平面视图下，相邻JFET子区被阱区隔开。根据本发明的半导体器件具有更好的电流能力和电压阻

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289845 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 20191

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