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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光系统和光刻刻蚀方法。其中曝光系统包括：光刻光路，所述光刻光路包括入射端和出射端，所述光刻光路的入射端设有光源，所述光刻光路的出射端设有载片台；所述光源发出光线照向所述载片台以形成所述光刻光路，用于光刻位于所述载片台上的目标晶圆。光罩，所述光罩设于所述光刻光路上，位于所述光源的出射端，用于将所述光源发射的光线图案化。挡光板，所述挡光板设于所述光罩的出射端，包括挡光区和透光区，所述挡光区环绕在所述透光区的外周，用于在对目标晶圆进行光刻时遮挡住
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112269303 A
(43)申请公布日 2021.01.26
(21)申请号 202011189146.7
(22)申请日 2020.10.30
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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