一种稀土镍基氧化物电子相变薄膜材料的合成方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于北京
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一种稀土镍基氧化物电子相变薄膜材料的合成方法.pdf

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本发明提供一种基于高氧压熔盐技术的稀土镍氧化物膜的生长方法，其主要构思在于使用碱金属卤化物作为助熔剂并有效熔解稀土氧化物、镍氧化物前驱体，并在高氧压下通过适当的热处理工艺使处于热力学亚稳相的稀土镍基氧化物在具有相近晶格参数的衬底或衬底缓冲层上非均匀形核成膜。该方法的优势在于不涉及任何真空沉积过程，可实现微米级厚度稀土镍基氧化物膜在平面、曲面上的均匀批量制备。所制备的膜材料具有良好的金属‑绝缘体转变特性、氢致电子相变特性，可应用于突变式热敏电阻、红外伪装、海洋电场探测等方面。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116145231 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202211590408.X (22)申请日 2022.12.12 (71)申请人北京科技大学地址 100083

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