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开关器件及其制造方法，相变随机存储器.pdf

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    公开了一种开关器件的制造方法，包括：在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成图案化的栅极导体；在栅极导体的表面形成侧墙以及在所述栅极导体两侧的衬底中形成源区和漏区包括：在栅极导体的表面形成第一侧墙，在第一侧墙两侧的衬底中形成第一掺杂区；在第一侧墙表面形成第二侧墙，在第二侧墙两侧的第一掺杂区中形成第二掺杂区；在第二侧墙表面依次形成第三侧墙和第四侧墙；在第四侧墙两侧的第二掺杂区中形成第三掺杂区，在第三掺杂区中形成第四掺杂区，其中，所述第一掺杂区至所述第四掺杂区的掺杂剂量依次增加。本申请的相变随机存储器，通

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112289927 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202010974563.6 (56)对比文件

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