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本公开提供了一种发光二极管外延片的制造方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：将衬底置于反应室内；在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和有源层；将载气通入液态Mg源中，在所述载气中携带所述液态Mg源；将携带有所述液态Mg源的载气通入所述反应室内，在所述有源层上生长P型半导体层；对所述P型半导体层进行退火。本公开通过将载气通入液态Mg源中，可以有效增加载气与Mg源的接触，从而增加载气中携带的液态Mg源，提高P型半导体层中Mg的掺杂浓度，增加P型半导体层提供的空穴数量，提升
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112289897 A
(43)申请公布日 2021.01.29
(21)申请号 202010980522.8
(22)申请日 2020.09.17
(71)申请人 华灿光电（浙江）有限公司
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