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本发明提供一种多态存储的SOT‑MRAM存储单元、存储阵列、存储器，涉及磁存储器技术领域。本发明的一种多态存储的SOT‑MRAM存储单元，底电极，磁隧道结和顶电极；当底电极和顶电极之间的电压不同时，磁隧道结顶底之间形成电势差，同时通过输入不同的写入电压，控制磁隧道结呈现不同阻态。本发明在不改变现有工艺的情况下，通过磁隧道结顶底两端施加电压的方法即可实现多阻态存储，解决了现有的SOT‑MRAM单个存储单元的存储密度小的技术问题。同时，本发明无需复杂的工艺，其成本低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115985364 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211680788.6
(22)申请日 2022.12.27
(71)申请人 致真存储 （北京）科技有限公司
地
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