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半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上依次形成有一个或多个堆叠的沟道叠层；形成横跨沟道叠层的栅极结构，栅极结构覆盖沟道叠层的部分顶部和部分侧壁；刻蚀栅极结构两侧的沟道叠层，在栅极结构两侧的沟道叠层内形成露出基底的第一凹槽；刻蚀第一凹槽底部的部分厚度的基底，在栅极结构两侧的基底内形成第二凹槽，第二凹槽的顶部与第一凹槽的底部相连通；在第二凹槽中形成隔离层；在第一凹槽中形成源漏掺杂层，源漏掺杂层位于隔离层上。通过隔离层，实现了源漏掺杂层与基底的电性隔离，有利于减小源漏掺杂层与基底之

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289687 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 20191

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