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本申请涉及半导体铜互连制作工艺，具体涉及一种铜互连结构制作方法。所述铜互连结构制作方法包括：提供预先图案化有互连孔槽的互连层；在所述互连孔槽内壁上形成铜种子层；火温度为180C至250C的条件下，对所述铜种子层进行20秒至40秒预退火，使得铜种子层的铜晶格进行生长，补偿铜种子层铜晶格间间隙，形成连续的铜种子层；通过铜电镀工艺，在所述铜种子层上，形成填充所述互连孔槽的铜互连结构；对所述铜互连结构进行退火；通过研磨工艺使得所述铜互连结构的表面平坦化。本申请能够解决相关技术中因PVD方法生长形成的铜种
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259502 B
(45)授权公告日 2022.08.16
(21)申请号 202011145106.2 (51)Int.Cl.
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