一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体.pdfVIP

一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体.pdf

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本发明涉及一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体。所述碳化硅籽晶包括正面和背面，所述背面覆有保护层，所述保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。保护层与籽晶的粘附力高，能有效地保护籽晶背面，抑制背向蒸发，提高碳化硅晶体质量。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112281220 B (45)授权公告日 2022.06.14 (21)申请号 201910674058.7 C30B 23/00 (2006.01)

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