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一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；多个栅极结构，位于所述基底上；位于所述栅极结构露出的基底中的源区或漏区；其中，与所述源区相邻的栅极结构之间具有第一间距，与所述漏区相邻的栅极结构之间具有第二间距，所述第二间距大于所述第一间距。和源极插塞至与源区所相邻栅极结构的距离相比，由于与所述源区相邻的栅极结构之间的间距更大，本发明实施例易于使漏极插塞至栅极结构的距离更大，从而有利于减小所述漏极插塞和栅极结构之间的寄生电容，进而有利于提高器件的特征频率，相应提高器件的频率特性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310190 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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