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本发明提供一种半导体器件的蒸镀方法，涉及半导体相关的技术领域，该半导体器件的蒸镀方法，包括如下步骤：将经过氧化处理的金属铟放入腔室内；对腔室进行抽真空后通入保护气体；对腔室抽真空后，将金属铟加热到第一温度范围内，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理并维持第一设定时长；将金属铟加热到第二温度范围内并维持第二设定时长。本发明的半导体器件的蒸镀方法，在将金属铟放入用于蒸镀的腔室前，将金属铟进行氧化，使金属铟裸露的部分形成氧化铟的氧化膜，较自然氧化形成的氧化铟厚度较厚且致密，从而避免了金属铟与作业环境中
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112323022 B
(45)授权公告日 2021.03.19
(21)申请号 202110000686.4 C23C 14/14 (2006.01)
(22)申请日
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