一种3D叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法.pdfVIP

一种3D叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法.pdf

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本发明涉及一种3D叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法,属于光电子技术领域。本衬底结构包括一衬底,衬底上依次设有底层掩模层、顶层掩模层;其中,底层掩模层设有周期性分布的特殊图形窗口,分别可以是条形、正三角形、和正六边形(在平面内的对称性是与六方晶系III族氮化物材料如GaN材料的晶体对称性一致或其子集的图形);顶层掩模层与底层图形周期相同,但相互错开。与现有技术相比,本发明提供了一种更优化的图形设计,同时提高了无位错外延膜的有效宽度,更具有使用价值,能够制备铺满整个衬底表面的连续平整的高质

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112301325 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 20191

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