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2023-05-27 发布于四川
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背照式图像传感器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种背照式图像传感器及其制备方法。该背照式图像传感器包括衬底，还包括从衬底减薄后的背面起依次层叠的缓冲层、高介电常数层和金属氧化物层，其中，缓冲层的材料包括硅氧化物，高介电常数层的材料的介电常数大于硅氧化物的介电常数，金属氧化物层的材料能透光而且吉布斯自由能高于硅氧化物的吉布斯自由能。该背照式图像传感器的制备方法包括：在衬底减薄之后的背面生长缓冲层，接着生长高介电常数层，然后在高介电常数层上生长金属氧化物层，再进行氮氢混合气氛退火。这种背照式图像传感器及其制备方法界面修复能力强，结构

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331683 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011294632.5 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人联合微电子中心有限责任公司

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