1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利
网站大量收购独家精品文档，联系QQ：2885784924

一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延制造方法.pdfVIP

一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延制造方法.pdf

    1. 1、本文档共12页，其中可免费阅读11页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
    2. 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
    3. 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    4. 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    5. 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
    6. 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
    7. 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
    8. 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
    查看更多
    本发明提供了一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延制造方法，属于半导体光电子技术领域，包括如下步骤：在LED外延片基底的电子阻挡层之上生长P型AlGaN层；在P型AlGaN层上交替生长第一P型GaN层和第二P型GaN层；其中：第一P型GaN层和第二P型GaN层的生长温度不同；第一P型GaN层和第二P型GaN层的掺杂浓度和/或氢气流量不同；在P型AlGaN层上的一层生长第一P型GaN层。本发明所产LED外延片晶体质量高，P型杂质活化率高，整体发光效率高，材料内部的氮空位少，掺杂效率高、导电性能好

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331752 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011395107.2 (22)申请日 2020.12.03 (71)申请人 至芯半导体（杭州）有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    知识产权出版社 + 关注
    官方认证
    文档贡献者

    知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

    咨询Ta 进入空间
    认证主体北京中献电子技术开发有限公司
    IP属地四川
    统一社会信用代码/组织机构代码
    91110108102011667U

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >