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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一开口，且所述第一开口底部暴露出部分基底表面；在所述第一开口内形成初始第一插塞；回刻蚀所述初始第一插塞，在所述第一介质层内形成凹槽和位于凹槽底部的第一插塞；在所述凹槽内形成第二插塞，且所述第一插塞的材料和第二插塞的材料不同；在所述第二插塞和第一介质层表面形成第二介质层；刻蚀部分所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二开口，且第二开口底部暴露出第二插塞的顶部表面；在所述第二开口内形成第三插塞，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112349651 A
(43)申请公布日
2021.02.09
(21)申请号 20191
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