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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的源掺杂层以及位于源掺杂层上的层间介质层；刻蚀层间介质层，形成通孔；在通孔的侧壁上形成牺牲层；在牺牲层之间的源掺杂层上形成半导体柱；在半导体柱顶部形成漏掺杂区；形成漏掺杂区后，去除牺牲层，形成第一开口；在第一开口中形成栅极结构，栅极结构包围半导体柱的部分侧壁且露出漏掺杂区。本发明实施例通孔的直径大于后续形成的半导体柱的直径，通孔侧壁与衬底法线之间的夹角较小，从而半导体柱侧壁与衬底的法线夹角较小，也就是说，半导体柱顶端的尺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310198 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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