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本发明公开了一种三维集成电路缺陷聚簇容错结构,用于3D‑IC设计的分层的、可靠的和重构的缺陷聚簇感知的架构R2CA。考虑方位、几何和生命周期的抽象层提出TSV缺陷聚簇感知设计。首先,在方位层,与当前先进的使用相邻或远处的冗余TSV进行重布线的架构不同,作者引入了基于最小顶点覆盖的有向重布线方法对缺陷TSV重布线。该重布线过程通过引入TSV分组实现缺陷的分类。组(Bin)号定义为与之相邻的缺陷TSV的总数。有缺陷的TSV通过其相邻的具有最小编号的无缺陷的TSV(最小的组)最小化TSV缺陷聚簇效应完
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112329363 B
(45)授权公告日 2022.03.11
(21)申请号 202011218063.6 G06F 30/337 (2020.01)
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