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本申请公开了用于分析半导体器件的系统和方法。用于分析半导体器件的系统包括刻蚀模块、分析模块和计算模块。刻蚀模块可以以相同的刻蚀速率反复地刻蚀晶片的整个表面,以便暴露晶片在存在要被分析的对象的下一深度处的下一表面。所述分析模块可以从晶片的每个被反复刻蚀的表面获得二维结构信息。所述计算装置用于连续地层叠反复获得的二维结构信息以生成三维图像。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112309890 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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