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本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构的制作方法包括提供一基底，该基底包括一逻辑元件区以及一存储器元件区，接着于该基底上形成一第一介电层，再于该存储器元件区的该第一介电层上形成多个存储器堆叠结构，然后形成一绝缘层共型地覆盖该些存储器堆叠结构以及该第一介电层，之后进行一回蚀刻制作工艺以蚀刻移除部分该绝缘层，但不显露出任一该存储器堆叠结构。回蚀刻制作工艺之后，形成一第二介电层，填满该些存储器堆叠结构之间的间隙。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310144 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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