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本发明属于RDL重新布线技术领域,公开了一种预埋式RDL封装成形方法,包括如下步骤:提供一晶圆,且晶圆上表面具有半导体芯片的电极;通过两次涂布在晶圆上表面覆盖形成第一PI钝化层,所述第一PI钝化层上具有暴露所述电极的阶梯式开口,且阶梯式开口的一侧预埋有不与晶圆上表面接触的微缩RDL层;在第一PI钝化层上表面设置标准RDL层,且标准RDL层充满阶梯式开口,并与晶圆上表面电极接触;形成第二PI钝化层,且第二PI钝化层覆盖标准RDL层和第一PI钝化层,所述第二PI钝化层上具有暴露部分标准RDL层的凹坑
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112309879 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202011203967.1
(22)申请日 2020.11.02
(71)申请人 江苏纳沛斯半导体有限公司
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