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微波集成传输线;引 言 :;特 点:;本章讨论问题:;§4.1 带状线(三板线);三板线续一:的特点;带状线的TEM特性:;;;TEM特性(续三);? Z0;近似方法:;近似方法(续一)
导体带与一边接地板之间单位长度电容为:;;此公式假定厚度为0,精度为1% 。 由此式可见,对(A)式求导得 1.7-2(W/b)0,所以单调递增??
带状线的特性阻抗随导体宽W增大而减小 通常都是给定基片材料εr,b设计导体带 宽W;;0.35;;? 1.7( w ) ? (0.352 ? x) ? 0;科恩(Cohns.B 1955)最先用保角变换求 得零厚度导体带带状线的特性阻抗。对于 非零导体导体带,他将厚度影响折合成宽 高比(W/b)来计算,从而得到如图4.1-2
(a)的实用特性阻抗曲线。
其精度约为1.5% (书p106);应用曲线 若给定εr、w、b 便可查得 特性阻抗值;若给定Z0、εr、b便可求 得导体宽度。;;近似方法(续十一);0 r;;③ 衰减常数;2.带状线的静态近拟数值解法——;?2?(x, y) ? 0;n a;静态近拟数值解法(续三);? ? ?1;;Q ? ? ?s (x)dx ? W;C1=Q/V;§4.2 微带线(microstrip line);microstrip line (continue1);主要模式TE—TM波场
纵向场——由分界面处Ex Ey引起(相对横 向场来说很小?近似为0?TEM波)
分析方法:准静态法(txdvlOvwdwlftdssurdfk) 色散模型法(glvshuvlrqtp rgho)
全波分析法+ixoozdyhdqdo|vlv,;微带线的准TEM特性;txdvlOvwdwlftdssurdfkt+frqwlqxht4,;;a;曲线拟合;Fkdudfwhulvwlftlp shgdqfht+Frqwlqxht4,;对t≠0?等效为导体增宽(4.2-8式);书上图4.2-3给出了计算结果图;2 衰减常数 dwwhqxdwlrqtfrqvwdqw;dwwhqxdwlrqtfrqvwdqwt+frqwlqxht4,;实际上并非如此,且电流在导体带和接 地板内为非均匀分布,需用惠勒增量电 感法修正(IEEE-MTT 1979);(平板电容公式) 定义填充系数q为;;微带线的近似静态场解法;微带线的近似静态场解法(续一);微带线的近似静态场解法(续二);微带线的近似静态场解法(续三)
这两个分段函数在分界面y=h必须连续 所以;微带线的近似静态场解法(续四);微带线的近似静态场解法(续五);微带线的近似静态场解法(续六);3。微带线的色散特性与尺寸限制;微带线的色散特性与尺寸限制(续一);微带线的色散特性与尺寸限制(续二);§3.8电介质的极化 . 极化强度;4.??带线的谱域分析(全波分析);?;因为对电场y=0为电 壁,所以为0;1;利用;spectral domain approach SDA (continue5);spectral domain approach SDA (continue6);4.3 耦合带状线及耦合微带线;;;耦合线理论与奇耦模分析方法 (续一);耦合线理论与奇耦模分析方法 (续二);1 奇耦模分析方法——利用对称性;rgg2hyhqth{flwdwlrqtp hwkrgvt+frqwlqxht4,;rgg2hyhqth{flwdwlrqtp hwkrgvt+frqwlqxht5,;rgg2hyhqth{flwdwlrqtp hwkrgvt+frqwlqxht6,
奇模电抗——奇模激励下,单根导带对地的 特性阻抗Z0o;rgg2hyhqth{flwdwlrqtp hwkrgvt+frqwlqxht7,;B. 奇耦模方法;E 1t奇耦模方法(frqwlqxh4);E 1t奇耦模方法(frqwlqxht5);E 1t奇耦模方法(frqwlqxht7);E 1t奇耦模方法(frqwlqxht8)
设电源时谐变化,由基尔霍夫定律有;E 1t奇耦模方法(frqwlqxht9)
同除dz,注意到L1=L C=C1+Cm
即有4.3-9式;4.3-9前2个Eq变为:;E 1t奇耦模方法(frqwlqxht;);E 1t奇耦模方法(frqwlqxht)
于是;耦模激励状态;耦模激励状态 +frqwlqxh t4,;耦模激励状态 +frqwlqxh t5,;均匀填充介质的对称线-TEM波
对于均匀填充介质的对称线——TEM波
奇模偶模相速度必须相等则:;均匀填充介质的对称线-TEM波+frqwlqxht4,
所以;均匀填充介质的对称线-TEM波+frqwlqxht5,;耦合带状线的特性;i;图解法;4.耦合微带特性分析
本质?非均匀填充介质?传输混合模:1.准静 态法
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