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本发明公开了一种吸气薄膜,其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成,该打底层是由Cr构成,该吸气层是由Pd构成;所述打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。本发明还公开了吸气薄膜的制备方法和应用。其中,吸气薄膜的制备方法包括如下步骤:对基材利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗;将清洗后的基材放置于烤箱中进行烘烤;再对基材进行辉光清洗;然后在基材上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜,作为打底层;在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜,作为吸气层。该吸气薄膜设置于真空腔体基材上,可以赋予腔体较好的吸气能力,能
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112323015 A
(43)申请公布日 2021.02.05
(21)申请号 202011223916.5
(22)申请日 2020.11.05
(71)申请人 昆山联德电子科技有限公司
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