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一种用于半导体的曝光显影方法.pdfVIP

一种用于半导体的曝光显影方法.pdf

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    本发明提供了一种用于半导体的曝光显影方法，包括以下步骤：(1)将光致抗蚀剂均匀涂布于半导体基材的表面上，形成光致抗蚀剂层；(2)将步骤(1)处理后的半导体基材加热至光致抗蚀剂层干燥凝固；(3)在不使用光掩模下，将半导体基材置于第一光源下，进行全面预曝光，曝光剂量为3.5‑5mJ/cm2；(4)在使用光掩模下，将半导体基材上的光致抗蚀剂层置于第二光源下，进行主曝光；(5)对半导体基材上喷涂显影液进行显影。本发明的方法在半导体基材的表面形成光致抗蚀剂层后，通过加热干燥、不使用光掩模的预曝光、使用光掩

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112305860 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 20191

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