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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间具有第一开口；对部分第一牺牲层注入第一掺杂离子，形成第一分割段；在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一牺牲层和第一分割段的顶部表面和侧壁表面；在所述第一开口内的掩膜材料层表面形成第二牺牲层，且所述第二牺牲层顶部表面齐平于掩膜材料层的顶部表面；对部分第二牺牲层注入第二掺杂离子，形成第二分割段。所述方法形成的半导体

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111640653 A (43)申请公布日 2020.09.08 (21)申请号 20191

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