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2023-05-27 发布于四川
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单晶生长方法及单晶生长设备.pdf

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本发明提供一种单晶生长方法及单晶生长设备。单晶生长方法包括：提供单晶生长设备，包括坩埚、用于提拉坩埚的坩埚提拉装置、用于提拉单晶的单晶提拉装置、导流筒和用于提拉导流筒的导流筒提拉装置；设定理论液口距，根据坩埚和单晶尺寸确定理论埚跟比后开始单晶生长；在单晶生长过程中调整坩埚、导流筒和单晶中的一个或多个的位置并实时测量得到实际液口距，计算实际液口距和理论液口距的偏差值并依偏差值得到埚跟比变化值，依埚跟比变化值对理论埚跟比进行调整；依埚跟比变化值对单晶提拉装置的拉速进行调整，以使单晶生长过程中的晶体工

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112323141 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011212265.X (22)申请日 2020.11.03 (71)申请人上海新昇半导体科技有限公司

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