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一种半导体结构及其形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，基底上形成有伪栅层，伪栅层侧壁上形成有侧墙，伪栅层和侧墙露出的基底上形成有层间介质层，层间介质层露出伪栅层和侧墙的顶部；去除部分高度的伪栅层，形成剩余伪栅层，且剩余伪栅层和侧墙围成凹槽；沿垂直于凹槽侧壁的方向，对剩余伪栅层露出的侧墙进行减薄处理；在减薄处理后，去除剩余伪栅层，在层间介质层内形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极结构。通过减薄处理，使侧壁上形成有剩余侧墙的栅极开口呈T字型，即增大了栅极开口的顶部开口尺寸，从而降低了金属栅极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112309861 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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