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化合物及其制备方法和量子点发光二极管.pdfVIP

化合物及其制备方法和量子点发光二极管.pdf

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    本发明涉及一种化合物及其制备方法和量子点发光二极管。所述化合物具有式I所示的结构：所述X+为金属阳离子；所述Y‑为与烷基侧链连接的阴离子；n为100～300的正整数。所述化合物用作为界面修饰材料，能够提高空穴注入、传输效率，或者阻碍电子传输，有助于促进电荷平衡，提高QLED寿命，还能维持量子点出色的发光效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112341606 A (43)申请公布日 2021.02.09 (21)申请号 20191

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