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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成半导体器件，所述半导体器件包括源极和漏极；对所述源极和漏极进行离子注入，所述离子注入为倾角离子注入；以及对所述半导体器件进行融熔激光退火以在所述半导体器件中引入应力。上述方法及通过上述方法制备的MOSFET可以在不制备应力记忆层的情况下将应力引入到MOSFET中，从而使得制备工艺简单便捷、成本低廉。在上述离子注入过程中，源/漏极区中的硅被非晶化从而形成非晶硅；而熔融激光退火可以使得半导体衬底由于离子注入形成的损伤得以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112309866 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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