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磁性随机存储器架构及其制造方法.pdfVIP

磁性随机存储器架构及其制造方法.pdf

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    本申请提供一种磁性随机存储器架构及其制造方法，所述磁性随机存储器架构的每一存储单元设置于字线与位线相交部位，包括垂直场效晶体管与磁性隧道结，垂直场效晶体管由栅极、鳍状结构与N++半导体区组成。栅极延着鳍状结构两侧而成型，栅极对应位线的部位通过导电组件连接磁性隧道结。本申请通过栅极顺着鳍状结构形成，使得垂直场效晶体管在兼容使用于鳍状设计的同时，提升存储器的存储单元成型密度，有助于存储器记忆容量的提升。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112349322 A (43)申请公布日 2021.02.09 (21)申请号 20191

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