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半导体基板及其制备方法.pdfVIP

半导体基板及其制备方法.pdf

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    本发明提供一种半导体基板及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括功能区及测量区；采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层，在所述测量区形成至少一测量膜层，在俯视方向上，所述测量膜层被划分为至少一测量单元，所述测量单元的形状为多边形，所述多边形的内角大于90度。本发明在制备半导体基板的工艺中，在测量区域形成多边形的测量单元，该形状的测量单元的受力力矩小，不易脱落，不会成为缺陷源，从而避免测量单元影响制程质量以及半导体基板的最终良率；同时，多边形的测量单元的应力分布

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112349701 A (43)申请公布日 2021.02.09 (21)申请号 20191

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