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2023-05-27 发布于四川
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半导体结构的制备方法.pdf

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本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离沟槽，所述有源区的表面形成有硬掩模层，在所述隔离沟槽处填充绝缘材料层且所述绝缘材料层延伸覆盖所述硬掩模层的表面；对所述绝缘材料层进行化学机械研磨工艺，至暴露部分所述硬掩模层时停止研磨；刻蚀所述绝缘材料层和所述硬掩模层，去除所述硬掩模层的表面残留的绝缘材料层的同时保留部分厚度的所述硬掩膜层。本发明提供的所述半导体结构的制备方法通过实时监控化学机械研磨工艺的研磨终点并将过研磨的时间设置为零来减少研磨量，从而减少因过研磨导致的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331610 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011273049.6 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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