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本申请具体公开了一种半导体芯片的制造方法和半导体芯片,该方法包括在第一导电类型的衬底表面生长外延层;在外延层之中形成沟槽,在沟槽表面生长氧化层;淀积多晶硅;去除第一设定区域和第二设定区域的沟槽之外的多晶硅;在第一设定区域和第二设定区域形成第二导电类型的扩散区;在第二设定区域形成第一导电类型的掺杂区;淀积介质层,在第二设定区域和第三设定区域形成接触孔;其中第一设定区域为MOSFET芯片的保护环,其包括多个间隔设置的封闭环;第二设定区域为MOSFET芯片的元胞区,其设置在MOSFET芯片的中部位置处
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112382571 B
(45)授权公告日 2022.03.15
(21)申请号 202011268744.3 H01L 27/02 (2006.01)
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