- 1、本文档共18页,其中可免费阅读17页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请实施例提供一种离子注入薄膜晶圆剥离方法、单晶薄膜及电子元器件,其中,所述方法包括:准备衬底晶圆;准备离子注入后的薄膜晶圆,其中离子注入后的薄膜晶圆为具有薄膜层、分离层和余质层的薄膜晶圆;将所述薄膜晶圆的薄膜层与所述衬底晶圆键合,形成键合体;对键合体采用逐步加热的方式,实现薄膜层与余质层的逐步分离。采用前述的方案,利用逐步加热键合体,使余质层与薄膜层的逐步分离,避免余质层与薄膜层整体分离产生的作用力,使晶片炸裂的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382563 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011271851.1
(22)申请日 2020.11.13
(71)申请人 济南晶正电子科技有限公司
文档评论(0)