- 1、本文档共9页,其中可免费阅读8页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种抗饱和磁隔离电路,其特征在于,包含:输入脉冲生成模块,输入信号经过该模块在上升沿和下降沿处分别产生两个脉冲信号,输出端与功率放大模块连接;功率放大模块,其将脉冲信号放大,放大后与变压器隔离模块的输入端连接;变压器隔离模块,将信号输入输出进行磁隔离,输出端与波形生成模块连接;波形生成模块,将经过磁隔离后的脉冲信号还原,生成与输入波形一致的信号。本发明提出的抗饱和磁隔离电路在保留原有磁隔离电路优点的同时,可有效克服磁隔离电路在传输低频信号时存在的饱和问题,提高了磁隔离电路工作的安全性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112367072 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 202011155241.5
(22)申请日 2020.10.26
(71)申请人 上海空间电源研究所
地
文档评论(0)