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本发明公开了一种金属型Cu(In,Ga)Se2材料、制备方法及其应用，属于导电材料技术领域，制备方法包括：将型Cu(In1‑xGax)Se2晶体置于高压装置内，进行加压处理，在压力大于或等于8.6GPa的条件下，保持至少20min，即得，制得的金属型材料在常温常压下可以稳定保持其Pna21结构。本发明方法操作简单，制备过程短、不需要任何传压介质，制备时间短、绿色环保、成本低，而且作为电极材料的金属型Cu(In0.7Ga0.3)Se2可降低黄铜矿太阳能电池的欧姆损耗，提高载流子迁移率，实现能量转换
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116161628 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202310063857.7
(22)申请日 2023.02.06
(71)申请人 郑州轻工业大学
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