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本发明属于半导体器件制作领域，涉及稳压二极管生产领域，尤其涉及一种稳压二极管及其制造方法。稳压二极管包括背面电极层、衬底N+、外延层N‑‑、外延层N‑、正电极区P+、保护扩散环P++、钝化层和银台电极，本发明的稳压二极管设计使用N+/N‑‑/N‑双外延层外延片，利用双扩散工艺制作PN结，钝化层包括由下到上依次设置的二氧化硅和氮化硅；工艺中采用PECVD工艺和双扩散结构制作工艺技术，简化工艺步骤的同时提高了芯片的性能。本发明的稳压二极管制造方法相较于传统工艺流程改动小，因此具有兼容性好、实用性强的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112366231 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 202011304995.2
(22)申请日 2020.11.20
(71)申请人 济南新芯微电子有限公司
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