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2023-05-28 发布于四川
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石墨基座和MOCVD设备.pdf

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本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，所述多个外延片容置槽沿所述第一圆形端面径向呈多层圆环排列，所述圆环的圆心与所述第一圆形端面的圆心重合，所述弧面凹槽均匀间隔布置于所述多个外延片容置槽之间的第一圆形端面上，所述弧面凹槽的内表面呈球冠状。本公开通过石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，弧面凹槽均匀间隔布置于外延片容置槽之间的第一圆形端面上提高石墨基座边缘位置外延层的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112359414 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011065399.3 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2

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