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2023-05-28 发布于四川
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一种存储芯片封装结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种存储芯片封装结构的制备方法，该方法包括以下步骤：在第一载板上设置第一封装层、第一线路层、第一存储芯片、控制芯片和第二存储芯片；接着在所述第一封装层上设置第二封装层、第二线路层、第三存储芯片、缓存芯片和第四存储芯片；接着在所述第二封装层上设置第三封装层、第三线路层、第五存储芯片和第六存储芯片；接着在所述第三封装层上设置第四封装层、第四线路层、第七存储芯片和第八存储芯片；接着去除所述第一载板，接着在各封装层中形成暴露各存储芯片的背面的多个第一凹槽，并在所述第一封装层中形成暴露所述第一线

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112366138 B (45)授权公告日 2022.04.29 (21)申请号 202011251334.8 H01L 21/60 (2006.01)

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