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本发明公开了一种栅极的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成第一栅介质层和非晶硅层；步骤二、在非晶硅层表面上形成硬质掩膜层，根据后续非晶硅栅的的各侧面的横向位置收缩选择硬质掩膜层的材质，使硬质掩膜层的硬度变软且保证后续栅极刻蚀后使硬质掩膜层的侧面位于对应的非晶硅栅的侧面内侧或相平；步骤三、光刻定义出栅极的形成区域；步骤四、依次对硬质掩膜层和非晶硅层进行刻蚀实现栅极刻蚀。本发明能控制非晶硅栅顶部的硬质掩膜层的形貌，使硬质掩膜层的侧面位于对应的非晶硅栅的侧面内侧或相平，从而有利于非晶硅栅的关
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382564 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011201919.9
(22)申请日 2020.11.02
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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