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2023-05-28 发布于四川
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一种自动化控制单晶生长过程系统.pdf

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本发明公开了一种自动化控制单晶生长过程系统，其技术方案是：包括石英坩埚，所述石英坩埚内部设有清理机构，所述石英坩埚顶部设有传动机构；所述传动机构包括顶座，所述顶座顶部固定连接有电机，所述顶座内部开设有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔位于第二空腔一侧，一种自动化控制单晶生长过程系统有益效果是：通过设置清理机构，使得电机工作时，带动第一清理块和第二清理块同时转动并进行上下往复运动，且在气缸作用下，第二清理块始终与石英坩埚内壁紧密接触，以解决现有技术中单晶生长坩埚中容易有晶体杂质残留，长期不清理积累容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112359425 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011238955.2 (22)申请日 2020.11.09 (71)申请人哈尔滨晶创科技有限公司

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