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本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种防暗流CIS浅沟槽隔离结构及其制作方法。其中，结构包括：浅沟槽结构，所述浅沟槽结构由半导体衬底层的上表面向下延伸，将CIS器件相邻两个像素单元隔离开；氧化膜，所述氧化膜覆盖在所述浅沟槽结构的内壁上；负电荷吸附膜，所述负电荷吸附膜覆盖在所述氧化膜上，用于吸附阻挡像素单元中漂移的负电荷；隔离介质层；在所述浅沟槽结构中，覆盖在所述氧化膜上的负电荷吸附膜包围形成容置空间，所述隔离介质层填充在所述容置空间中。该方法能够制作出该防暗流CIS浅沟槽隔离结构。本申请
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112349741 A
(43)申请公布日 2021.02.09
(21)申请号 202011295974.9
(22)申请日 2020.11.18
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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