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本发明公开了一种用于制备掺杂非晶硅薄膜的气源，所述气源是灌装储存在防爆容器里的掺杂气体与惰性气体的混合气体，在使用PVD方法掺杂非晶硅镀膜过程中，防爆容器中的混合气体流经减压阀、气体流量计，以固定流量导入镀膜腔体中进行镀膜使用；其中，掺杂气体的体积浓度为1‑15％，而磷烷或硼烷经稀释后其浓度大大降低，可有效解决纯磷烷、纯硼烷等剧毒、易燃的掺杂剂在运输、装卸、储存和使用上的安全风险问题，且掺杂过程中无其它杂质气体进入非晶硅薄膜，且工厂无需专门配备用于纯硅烷或硼烷存储及使用的特种设备，工厂相应的安全
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112359320 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 202011137583.4 H01L 31/20 (2006.01)
(22)申请日 2
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