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本发明提供一种高速DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：1）在N型InP衬底上依次生长第一N型InP层、N型光栅层、第一本征InP层、本征InGaAsP层、第二本征InP层；2）光刻形成光波导区和非光波导区，将非光波导区的第一本征InP层、本征InGaAsP层、第二本征InP层腐蚀掉；3）在非光波导区制作光栅；4）对外延片先进行低温热处理，再进行高温热处理；接着依次生长第二N型InP层、AlGaInAs多量子阱、第一P型InP层、P型InGaAsP停止层、第二P型InP层、P型InGaAs接触层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112366520 B
(45)授权公告日 2022.07.08
(21)申请号 202011147542.3 H01S 5/22 (2006.01)
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