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2023-05-28 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一堆叠层，所述第一堆叠层包括上选择栅极层；沿垂直于所述衬底的第一方向贯穿所述第一堆叠层、且在平行于所述衬底的第二方向排列的多个第一虚拟沟道结构，所述第一虚拟沟道结构在所述上选择栅极层中相互连通形成一切槽，用于将位于所述切槽两侧的所述上选择栅极层隔断开；沿所述第一方向贯穿所述第一堆叠层、且位于所述第一虚拟沟道结构两侧的多行存储串，从而无需额外通过传统的TSG切割工艺在上选择栅极层中形成切割结构，简化了工艺流程。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112382634 B (45)授权公告日 2021.09.03 (21)申请号 202011247785.4 H01L 27/11556 (2017.01)

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