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2023-05-28 发布于四川
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基于双光电栅极结构的半导体波长探测器及其制备方法.pdf

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本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于双光电栅极结构的半导体波长探测器及其制备方法。本发明探测器包括：衬底、氧化埋层、源端、漏端、沟道、源端金属接触、漏端金属接触、背栅金属接触、顶部栅极金属接触、上栅极和绝缘栅介质；上栅极使用薄膜材料，且下栅极使用衬底材料，形成两个光电栅极共同控制沟道的耦合结构；两个光电栅极具有不同的掺杂类型和光谱响应。相比于传统波长探测器，本发明探测器结构简单，通过扫描器件的转移曲线即可提取出入射光的波长，不需后续复杂的放大及处理电路；上栅极薄膜材料，提高了器件的波长探

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112382692 B (45)授权公告日 2022.08.19 (21)申请号 202011110843.9 (56)对比文件 (22)申请日 2020.10.16

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