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一种用于暗场缺陷检测的光罩掩模板图形设计方法.pdf

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    本发明属于半导体制造的无图案硅片缺陷检测技术领域，公开了一种用于暗场缺陷检测的光罩掩模板图形设计方法，利用微粗糙度表面无颗粒散射模型计算表面无颗粒情况下的光散射信号；利用光滑表面颗粒散射模型计算表面有颗粒污染情况下的光散射信号；根据所得散射光强信号求取表面颗粒散射光与表面无颗粒散射光的信号对比度s；根据信号对比度s求取能用以分离颗粒散射光的透光区域；通过表面散射模型根据透光区域，设计适用的光罩掩模板图形，滤除无法区分颗粒散射信号的散射光。本发明优化了现有的暗场缺陷检测系统中收集散射光的方法，能有

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112347527 B (45)授权公告日 2022.06.03 (21)申请号 202011236042.7 (56)对比文件

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